IRF7811AU 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装,适用于需要高效率和高开关速度的应用场景。IRF7811AU 具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等领域。
这款 MOSFET 的主要特点是其优化的栅极电荷设计,可降低开关损耗并提高整体系统效率。同时,它具有良好的热稳定性和耐热冲击性能,能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:23A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:4.9nC
开关时间:典型值 t_on=15ns, t_off=15ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRF7811AU 的关键特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 优化的栅极电荷设计,可实现快速开关并降低动态损耗。
4. 表面贴装封装,有助于简化 PCB 设计和提高生产效率。
5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下依然保持可靠性能。
6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
IRF7811AU 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载管理系统(BMS)中的保护电路。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF7813, IRF7814, IRF7815