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IRF7811AU 发布时间 时间:2025/5/23 0:40:36 查看 阅读:14

IRF7811AU 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装,适用于需要高效率和高开关速度的应用场景。IRF7811AU 具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等领域。
  这款 MOSFET 的主要特点是其优化的栅极电荷设计,可降低开关损耗并提高整体系统效率。同时,它具有良好的热稳定性和耐热冲击性能,能够适应各种严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:23A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:4.9nC
  开关时间:典型值 t_on=15ns, t_off=15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7811AU 的关键特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 优化的栅极电荷设计,可实现快速开关并降低动态损耗。
  4. 表面贴装封装,有助于简化 PCB 设计和提高生产效率。
  5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下依然保持可靠性能。
  6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

IRF7811AU 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的负载管理系统(BMS)中的保护电路。
  6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

IRF7813, IRF7814, IRF7815

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