时间：2025/6/19 1:49:20
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IRF7807TRPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装。该器件主要适用于低电压、大电流的应用场合，例如开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电池管理等。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗并提高效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（在Vgs=10V时）
总栅极电荷：47nC
输入电容：1950pF
输出电容：1250pF
反向传输电容：290pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRF7807TRPBF具有低导通电阻的特点，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
该器件的快速开关性能使其非常适合高频应用环境。
其SO-8封装形式紧凑，适合高密度设计需求。
具备良好的热稳定性和电气性能，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
内置ESD保护电路提高了器件的抗静电能力，增强了产品的可靠性。
IRF7807TRPBF广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
笔记本电脑和移动设备的适配器及充电器中的开关电源电路。
汽车电子系统中的负载切换和电机驱动控制。
通信设备中用于电源管理和信号调节的DC-DC转换器。
消费类电子产品中的高效能电池管理单元。
工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF7807TRPBF, IRF7807
