STW26NM60 时间：2025/7/23 12:40:06 阅读：12

STW26NM60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的技术制造，具有较低的导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率和高频率的工作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：26A
　　最大功率耗散(Pd)：125W
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

STW26NM60 MOSFET具有多个关键特性，使其在功率应用中表现卓越。首先，其低导通电阻Rds(on)确保在高电流工作条件下实现较小的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的最大漏源电压高达600V，适用于高压系统，例如开关电源、电机驱动和逆变器。此外，其125W的最大功率耗散能力支持在高负载环境下稳定运行。
　　这款MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热性能，便于散热并确保在高温环境下正常工作。STW26NM60还具有快速开关特性，降低了开关损耗，并支持高频操作，这对提高系统效率至关重要。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的10V和15V驱动电路，方便设计工程师进行电路集成。
　　由于采用了先进的制造工艺，STW26NM60在高温下仍能保持稳定性能，同时具备出色的雪崩能量耐受能力，确保在突发过压或过流情况下器件的可靠性。这些特性使其成为工业电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电设备等应用的理想选择。

应用

STW26NM60 MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它用于高效地转换和调节电能。在电机控制和驱动器中，STW26NM60用于控制电机的速度和扭矩。此外，它还常见于太阳能逆变器系统中，将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。其他应用包括电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。