封装类型：SOT-363
　　二极管类型：肖特基二极管阵列
　　最大正向电流：100mA（每个二极管）
　　峰值反向电压：30V（每个二极管）
　　正向压降：最大0.35V至0.55V（典型值）
　　反向漏电流：最大100nA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

BAS40CW-L_R1_000A1的核心特性之一是其采用肖特基二极管结构，这使得它在正向导通时具有较低的压降，通常在0.35V到0.55V之间，这比普通硅二极管的0.7V压降要低，从而减少了功耗并提高了效率。此外，该器件具有快速的开关特性，适用于高频整流和信号处理应用。
　　该器件采用SOT-363封装，是一种小型化的表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。这种封装不仅节省空间，而且便于自动化装配，提高了生产效率。
　　BAS40CW-L_R1_000A1的每个二极管都具有100mA的最大正向电流和30V的峰值反向电压，适用于多种低功率电路设计。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，能够在极端环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　由于其低正向压降和快速恢复时间，BAS40CW-L_R1_000A1特别适用于电池供电设备、便携式电子产品、电源管理和保护电路。例如，它可以用于防止电池反向连接、保护电路免受过电压和静电放电（ESD）的影响。

BAS40CW-L_R1_000A1常用于多种电子设备中，尤其是在需要高效、小型化设计的电路中。典型应用包括电源管理电路中的极性保护、DC-DC转换器中的整流元件、电池充电电路中的隔离二极管等。此外，它也广泛用于数字电路中作为信号钳位或电平转换元件，确保信号的完整性和稳定性。
　　在通信设备中，该器件可用于防止信号回流或作为保护二极管，防止静电放电损坏敏感的集成电路。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BAS40CW-L_R1_000A1可用于电源路径管理，确保设备在不同电源输入情况下稳定运行。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于保护车载电子模块免受电压浪涌和反向电压的影响。例如，在车载充电器、ECU（电子控制单元）和车载娱乐系统中，BAS40CW-L_R1_000A1可以提供可靠的保护和信号处理功能。

BAS40DW-04_R1_000A1, BAS40-04W, BAS40-06W