时间：2025/7/9 2:34:24
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FQT7N10LTF 是一款 N 沣道通的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用 LFPAK56 封装。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其设计主要针对汽车电子和工业应用中的电源管理、负载开关和电机驱动等领域。
这款 MOSFET 在额定电压范围内表现出优异的性能，同时具备出色的热稳定性和可靠性，使其能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：82A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：43nC
总电容：1430pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
FQT7N10LTF 提供了非常低的导通电阻 (RDS(on))，从而减少了传导损耗并提高了系统的整体效率。此外，它具有快速的开关能力，能够在高频条件下有效运行，非常适合于开关电源和其他功率转换应用。
器件采用先进的封装技术，有助于提高散热性能，并且支持表面贴装技术 (SMT)，简化了生产流程和组装过程。
其高耐压和大电流承载能力使得该 MOSFET 成为众多高功率应用的理想选择，特别是在需要可靠性和高效性的场合。
该器件广泛应用于 DC/DC 转换器、电机控制电路、负载开关、电池保护电路、逆变器以及 LED 驱动等。在汽车领域中，它可以用于启动系统、燃油喷射系统和电动助力转向系统等关键组件。工业应用方面，适合用作工厂自动化设备中的功率开关或保护元件。
FDP5500, IRFZ44N, STP100NF10
