类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：18A
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：4.7mΩ
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：6.3mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值1.8V，范围1.4V~2.4V
　　输入电容（Ciss）：典型值950pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：典型值550pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：典型值16ns
　　最大功耗（Pd）：45W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET S3B

IRF7726PBF采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，使其在大电流应用中表现出色。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为4.7mΩ，在同类产品中处于领先水平，这有助于显著降低传导损耗，提高电源转换效率。该器件的封装形式为DirectFET S3B，是一种顶部散热的小外形封装，能够在有限的空间内实现优异的热管理和电气性能。与传统的SO-8封装相比，DirectFET封装减少了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能，并支持双面散热，进一步增强了热稳定性。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为27nC（@Vgs=10V），这使得驱动电路的设计更加简单，同时降低了开关过程中的能量损耗。此外，其米勒电荷（Qsw）也经过优化，有助于减少开关切换时的延迟和振荡现象，从而提高系统的动态响应能力和稳定性。器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了系统可靠性。
　　IRF7726PBF的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业和通信环境。其栅源电压额定值为±20V，提供了较强的抗过压能力，防止因驱动信号异常导致器件损坏。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，trr典型值为16ns，适合用于同步整流等需要快速换流的应用场景。综合来看，IRF7726PBF凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优良的热性能和稳健的开关特性，成为高性能DC-DC变换器和负载点电源的理想选择。

IRF7726PBF广泛应用于各类高效率、高频率的电源管理系统中。典型应用包括服务器和工作站的VRM（电压调节模块）或POL（负载点）转换器，用于为核心处理器、GPU或ASIC提供稳定的低压大电流供电。在这些应用中，其低Rds(on)和优异的热性能可有效减少发热并提升转换效率。此外，它也被用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理单元中，支持电池供电系统的同步降压转换，延长续航时间。
　　在通信基础设施领域，如基站、路由器和交换机中，IRF7726PBF常用于中间母线转换器（IBC）和隔离式DC-DC电源的次级侧同步整流，以替代传统肖特基二极管，从而降低功耗并提升整体效率。由于其封装尺寸小且散热性能好，非常适合空间受限但对功率密度要求高的设计。
　　工业控制设备、PLC模块、电机驱动器以及LED驱动电源中也常见该器件的身影。在这些应用中，IRF7726PBF能够承受频繁的开关操作和较高的环境温度，表现出良好的长期可靠性。此外，其快速开关特性使其适用于高频PWM控制场合，例如数字电源和多相并联电源架构。总之，凡是对效率、体积和热管理有较高要求的开关电源设计，IRF7726PBF都是一个极具竞争力的解决方案。

IRL7726PBF, IRF7728PBF, SQJ981EP-T1-GE3, FDMC86128