时间：2025/7/19 3:23:05
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IXFN44N50Q 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高性能电源转换和电机控制应用，提供优良的导通和开关性能。其主要特点是具有高耐压能力（500V）和较大的连续漏极电流（44A），适合用于要求高可靠性和效率的工业和汽车电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：44A
导通电阻（RDS(on)）：最大 180mΩ（在 VGS=10V 时）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
最大功耗（PD）：300W
IXFN44N50Q 的核心特性包括优异的热稳定性和高功率处理能力，使其适用于需要长时间高负载工作的场景。其 TO-247 封装形式确保了良好的散热性能，同时提供了简便的安装和连接方式。此外，该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部结构设计优化了开关性能，减少开关损耗，提高整体能效。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行。此外，其栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计复杂度。在高频应用中，IXFN44N50Q 也能保持稳定的性能，适用于多种电源转换拓扑结构。
IXFN44N50Q 广泛应用于各种高性能电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动和逆变器系统。此外，它也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备、工业自动化控制系统以及高功率 LED 驱动器等场合。其高可靠性和高效率特性使其成为工业和汽车电子领域的重要组件。
IXFN44N50P、IXFN48N50Q、IRFP460LC、STF10N50M
