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BZT52H-B9V1,115 发布时间 时间:2025/9/14 10:45:18 查看 阅读:5

BZT52H-B9V1,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),属于 BZT52H 系列。该系列二极管采用 SOD-123 封装,适用于需要稳定电压的电路设计中,具有低动态阻抗、快速响应时间和高稳定性等特点。该型号的标称齐纳电压为 9.1V,在 IZ=10mA 的测试电流下测量。该器件广泛用于电源管理、电压参考、过压保护和信号调节等应用场景。

参数

型号: BZT52H-B9V1,115
  封装类型: SOD-123
  齐纳电压: 9.1V
  测试电流: 10mA
  最大齐纳电流: 200mA
  最大功耗: 300mW
  工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  存储温度范围: -65°C ~ 150°C
  最大反向漏电流: 100nA(@ VR=6.8V)
  动态阻抗: 15Ω(max)
  容差: ±2%

特性

BZT52H-B9V1,115 是一款高性能的表面贴装齐纳二极管,具备出色的稳定性和低动态阻抗,能够提供精确的电压参考。其 SOD-123 小型封装适用于空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和机械强度。该器件的齐纳电压在额定测试电流下保持稳定,且在不同负载条件下电压波动较小,适用于高精度的电压调节应用。此外,BZT52H-B9V1,115 具有快速响应时间,能够在电压突变时迅速调整,确保电路稳定运行。其低反向漏电流特性也使其适用于低功耗设计,有助于提高系统的能效表现。该器件通过 AEC-Q101 汽车级认证,可在严苛环境下可靠工作,广泛应用于汽车电子、工业控制、消费类电子产品等领域。
  在制造工艺方面,BZT52H-B9V1,115 采用先进的硅半导体技术,结合优化的芯片设计,确保了良好的电压控制性能和长期稳定性。其封装材料符合 RoHS 和 REACH 环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代环保电子制造流程。

应用

BZT52H-B9V1,115 可广泛应用于各类电子设备中的电压稳定和参考电路中。典型应用包括电源管理模块中的参考电压源、ADC/DAC 电路的基准电压、电池管理系统中的电压检测、过压保护电路、信号调理电路以及各类嵌入式系统中的电压调节。由于其具备良好的温度稳定性和低功耗特性,该器件特别适用于便携式电子设备、工业自动化控制系统、汽车电子模块、通信设备以及消费类电子产品中的电压控制需求。

替代型号

BZT52H-B9V,115; BZT52C9V1; MMSZ5249B-TP; 1N4739A-T

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BZT52H-B9V1,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)9.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 6V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大375mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称BZT52H-B9V1115