时间：2025/5/23 10:58:10
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IRF7495是一款N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用Trench工艺制造，具有较低的导通电阻和极快的开关速度。其出色的性能使其成为电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。
IRF7495的最大漏源电压为60V，能够承受较高的瞬态电压。同时，该器件具有较低的栅极电荷和输出电容，从而提高了整体效率并减少了开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（Qg）：17nC
总电容（Ciss）：1340pF
输入电容（Ciss）：1340pF
输出电容（Coss）：280pF
反向传输电容（Crss）：140pF
工作结温范围：-55°C至175°C
IRF7495具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电容。
3. 较宽的工作温度范围，支持高温环境下的稳定运行。
4. 小型化的TO-252封装，节省PCB空间。
5. 提供优异的热特性和电气性能，适合高功率密度设计。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
IRF7495广泛应用于各种高频开关场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 工业控制
6. 通信电源
7. 计算机及外设中的高效能电路
该器件特别适合需要高性能、低功耗和快速响应的应用场合。
IRF7494, IRF7493
