时间：2025/4/28 19:33:45
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ML621S/DN是一款高性能的低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片具有快速访问时间、低功耗和高可靠性，广泛应用于各种需要临时数据存储的电子设备中。它采用标准的CMOS制造工艺，确保了在长时间运行下的稳定性和耐用性。
该型号支持同步或异步操作模式，可以根据实际需求灵活配置。此外，ML621S/DN内置上电复位功能，在系统加电或掉电时能够自动清除数据以防止混乱。
容量：32K x 8 bits
工作电压：2.7V 至 3.6V
访问时间：70ns
数据保持时间：无限
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSSOP-48
ML621S/DN采用了先进的CMOS技术，具有极低的功耗特性。在待机模式下，芯片的电流消耗非常小，非常适合电池供电设备。
此外，这款芯片支持硬件写保护功能，可以有效防止意外写入导致的数据丢失。
其高速读写能力使其成为嵌入式系统、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。内置的上电复位功能进一步提升了系统的稳定性与安全性。
由于采用了小型化的TSSOP封装，ML621S/DN能够在有限的空间内提供更高的性能，适合对体积敏感的应用场景。
ML621S/DN适用于多种领域，包括但不限于工业控制、医疗设备、汽车电子以及家用电器等。
在工业自动化中，它可以用于临时存储传感器数据或控制指令。
在消费类电子产品中，如数码相机或打印机，ML621S/DN可以作为缓冲存储器来提升数据处理速度。
此外，它也常见于通信模块中，用作协议转换或数据暂存。
ML62QV32S-DN, AS6C1008, CY7C1021DV33
