时间：2025/8/22 20:19:02
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SKT110F12U 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET模块，主要用于高功率密度和高频开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术和低导通电阻设计，适用于工业电源、电机驱动、逆变器以及各类功率转换设备。SKT110F12U 以其高效的性能和可靠性，在各类高功率电子系统中发挥着关键作用。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：110A
漏源极击穿电压（VDS）：1200V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为11mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
栅极电荷（Qg）：典型值为120nC
短路耐受能力：有
SKT110F12U 的核心特性在于其低导通电阻和高电流处理能力，这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽型MOSFET技术，优化了载流子流动路径，从而实现更低的RDS(on)。此外，SKT110F12U具备良好的热稳定性，能够在高工作温度下保持稳定运行，适用于苛刻的工业环境。
该模块还具有优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载和短路电流，提高了系统的安全性和可靠性。SKT110F12U的封装设计支持快速散热，适用于需要高功率密度的设计。其栅极驱动特性优化，使得开关损耗更低，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、UPS系统、电机控制等。
此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
SKT110F12U 广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电焊机以及新能源领域的功率转换系统。由于其高效率和高可靠性，它也常用于电动汽车（EV）充电设备和太阳能逆变器等对性能要求较高的场合。
TK110F12U,HGTG11N120BND,SCT3040KR
