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SKT110F12U 发布时间 时间:2025/8/22 20:19:02 查看 阅读:16

SKT110F12U 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET模块,主要用于高功率密度和高频开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术和低导通电阻设计,适用于工业电源、电机驱动、逆变器以及各类功率转换设备。SKT110F12U 以其高效的性能和可靠性,在各类高功率电子系统中发挥着关键作用。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电流(ID):110A
  漏源极击穿电压(VDS):1200V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为11mΩ
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  栅极电荷(Qg):典型值为120nC
  短路耐受能力:有

特性

SKT110F12U 的核心特性在于其低导通电阻和高电流处理能力,这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽型MOSFET技术,优化了载流子流动路径,从而实现更低的RDS(on)。此外,SKT110F12U具备良好的热稳定性,能够在高工作温度下保持稳定运行,适用于苛刻的工业环境。
  该模块还具有优异的短路耐受能力,能够在短时间内承受过载和短路电流,提高了系统的安全性和可靠性。SKT110F12U的封装设计支持快速散热,适用于需要高功率密度的设计。其栅极驱动特性优化,使得开关损耗更低,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、UPS系统、电机控制等。
  此外,该器件的制造工艺符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。

应用

SKT110F12U 广泛应用于各种高功率电子系统,包括工业电源、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、电焊机以及新能源领域的功率转换系统。由于其高效率和高可靠性,它也常用于电动汽车(EV)充电设备和太阳能逆变器等对性能要求较高的场合。

替代型号

TK110F12U,HGTG11N120BND,SCT3040KR

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