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IRF7468TR 发布时间 时间:2025/5/22 13:57:06 查看 阅读:4

IRF7468TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于高频开关应用场合,例如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块以及负载切换等场景。
  这款MOSFET的主要特点是其优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡,从而提升了效率并降低了功率损耗。同时,它具备出色的热性能和电气稳定性,适用于需要高可靠性的工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(Rds(on)):9.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:23nC(典型值)
  输入电容:1180pF(典型值)
  总功耗:38W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRF7468TR具有低导通电阻的特点,能够显著减少传导损耗,提高系统效率。此外,其较小的栅极电荷允许更快的开关速度,这在高频开关应用中尤为重要。
  该器件还设计有坚固的短路保护能力,能够在异常条件下维持一段时间而不损坏。其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间,并且良好的散热性能使其可以稳定运行于高温环境。
  另外,IRF7468TR符合RoHS标准,环保无铅,满足现代电子产品的绿色制造需求。

应用

IRF7468TR广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件
  3. 电机驱动电路中的功率级控制
  4. 笔记本电脑适配器和充电器
  5. 消费类电子产品的负载切换
  6. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节
  由于其高性能和可靠性,IRF7468TR成为许多高效能功率转换解决方案的理想选择。

替代型号

IRF7468G, IRF7468PBF

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IRF7468TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2460pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)