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IRF7457TRPBF 发布时间 时间:2025/5/8 9:48:17 查看 阅读:8

IRF7457TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 PowerPAK? SO-8 封装,适合高效率开关应用。它具有低导通电阻(Rds(on))和优化的栅极电荷设计,可有效降低传导损耗和开关损耗,适用于高频开关电路。
  该芯片主要针对消费类电子、计算机及外设、通信设备等领域的电源管理需求而设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:9.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  总电容:1050pF(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:PowerPAK? SO-8

特性

IRF7457TRPBF 的主要特点是其优异的性能表现,特别在高频开关电路中表现出色。以下是其具体特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),使得器件在高电流条件下仍能保持较低的功耗。
  2. 栅极电荷经过优化,有助于降低开关损耗,从而提高整体系统效率。
  3. 小型化封装(PowerPAK? SO-8)可以显著节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能。
  4. 较高的漏源击穿电压(60V),能够适应多种电压等级的应用场景。
  5. 支持较宽的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),确保在各种环境下的可靠性。
  6. 高速开关能力使其非常适合 DC/DC 转换器、同步整流以及电机驱动等应用。

应用

IRF7457TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 同步整流电路,用于提升电源转换效率。
  3. 电机驱动控制,例如无刷直流电机(BLDC)驱动器。
  4. 笔记本电脑适配器和其他便携式设备的充电解决方案。
  5. 工业自动化中的负载切换与控制。
  6. 通信设备中的电源管理系统。

替代型号

IRF7407TRPBF, IRF7410TRPBF

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IRF7457TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7457PBFTRIRF7457TRPBF-NDIRF7457TRPBFTR-ND