时间：2025/5/21 11:10:53
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GA1206A391KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，能够显著提高系统的整体效率并降低能耗。
其封装形式为行业标准的TO-247，适合大功率应用场合，同时具有良好的散热性能和电气稳定性。
型号：GA1206A391KXBBR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：39A
导通电阻(Rds(on))：39mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：185nC
输入电容(Ciss)：3500pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 超低导通电阻设计，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
3. 高额定电压和电流支持，确保在严苛条件下稳定运行。
4. 极佳的热性能，减少对额外散热措施的需求。
5. 具备短路保护功能，增强器件的可靠性和安全性。
6. 封装兼容性强，便于集成到各种电路板设计中。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动汽车及混合动力汽车的电机驱动控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. 各类工业级和消费级大功率电子设备。
6. 不间断电源(UPS)系统的功率管理模块。
GA1206A391KXBBR32G, IRFP460, STW47N120
