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IRF7451TR 发布时间 时间:2025/4/28 18:35:34 查看 阅读:3

IRF7451TR 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Vishay 公司生产。该器件采用 TrenchFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载点转换、同步整流以及电机驱动等应用。
  IRF7451TR 采用 TO-263-3 封装(D2PAK),能够提供出色的散热性能,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:51A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  反向恢复时间:8ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7451TR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时仅为 1.5mΩ,能够显著降低传导损耗,提升效率。
  2. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 51A,适用于高功率应用。
  3. 快速开关性能,栅极电荷低至 9nC,反向恢复时间仅为 8ns,有助于减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),能够在极端环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 表面贴装封装(TO-263-3/D2PAK),适合自动化生产,同时具备良好的散热性能。

应用

IRF7451TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
  2. 同步整流极管替代方案。
  3. 负载点转换器(POL Converter)中的高效功率开关。
  4. 电机驱动和逆变器应用,特别是需要高电流和快速开关的应用场景。
  5. 工业控制和汽车电子中的大功率负载切换与保护。
  6. 多相 VRM(Voltage Regulator Module)设计中的功率 MOSFET。

替代型号

IRF7403TR, IRF7404TR, IRF7405TR

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IRF7451TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds990pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)