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IS21ES08GA-JQLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:15:49 查看 阅读:36

IS21ES08GA-JQLI-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗异步静态随机存取存储器(SRAM)。该型号属于高速CMOS SRAM系列,主要设计用于需要高速数据访问和可靠存储的应用场景。该SRAM具有8Mbit的存储容量,组织形式为1M x 8bit。该器件采用标准异步接口设计,适用于多种嵌入式系统和工业控制场合。IS21ES08GA-JQLI-TR采用小型TSOP封装,符合工业级温度范围要求,适合在-40℃至+85℃环境下工作。

参数

容量:8Mbit
  组织方式:1M x 8bit
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间(最大):55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  封装尺寸:54-Pin TSOP
  接口类型:异步
  读写操作:支持非同步读写
  封装引脚数:54
  封装尺寸(毫米):约 12mm x 20mm

特性

IS21ES08GA-JQLI-TR 具备多项优异特性,确保其在复杂工业和通信环境中的稳定运行。首先,该芯片采用高速CMOS工艺制造,提供高达55ns的访问时间,可满足对数据访问速度有较高要求的系统需求。其次,该SRAM支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),提高了在不同电源条件下的兼容性和稳定性。
  此外,IS21ES08GA-JQLI-TR 的工作温度范围为-40℃至+85℃,满足工业级应用对极端温度环境的适应能力,适用于工业自动化、通信设备和嵌入式系统等场景。其TSOP封装形式不仅体积小巧,还具备良好的热稳定性和电气性能,适合高密度PCB布局。
  该器件采用标准异步接口,无需时钟信号控制,简化了系统设计,降低了时序复杂度。同时,其非易失性设计确保数据在断电后不会丢失(需保持供电),适用于需要高速缓存或临时数据存储的应用。
  最后,IS21ES08GA-JQLI-TR具备低功耗待机模式,在未被访问时自动进入低功耗状态,有助于提高系统的能效水平。

应用

IS21ES08GA-JQLI-TR 适用于多种需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统和工业设备。例如,该SRAM可作为微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)或FPGA的外部高速缓存,提升系统处理效率。在工业自动化领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集系统和工业通信设备中,提供快速、可靠的数据存储支持。
  在通信设备中,IS21ES08GA-JQLI-TR 可用于网络交换机、路由器、基站控制器等硬件中,作为临时数据缓冲器或协议处理缓存。此外,该SRAM也适用于消费类电子产品,如智能家电、工业手持终端和医疗仪器,满足对数据访问速度和可靠性有较高要求的应用场景。
  由于其宽温工作范围和TSOP小型封装,该芯片还适用于汽车电子系统,如车载导航、车身控制模块和车载通信设备,确保在各种环境条件下稳定运行。

替代型号

IS61LV25616A-10B4I-QS, CY62148EALL-55B4X, IDT71V416S-J55BGI

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IS21ES08GA-JQLI-TR参数

  • 现有数量1,477现货
  • 价格1 : ¥140.55000剪切带(CT)1,000 : ¥100.16877卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(MLC)
  • 存储容量64Gb
  • 存储器组织8G x 8
  • 存储器接口eMMC
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳100-LBGA
  • 供应商器件封装100-LFBGA(14x18)