时间：2025/6/12 3:38:54
阅读：10
SFM-130-02-F-D-K-TR是一种基于表面贴装技术（SMT）的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能，适用于需要高效能和小型化设计的电子设备。
此型号属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为DFN5x6，能够显著减少寄生电感并提升整体系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：32A
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：2190pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：DFN5x6
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 高电流承载能力，可支持大功率应用。
3. 超薄封装设计，适合空间受限的应用场景。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定性能。
5. 快速开关速度，减少了开关损耗。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
7. 内置静电保护功能，提升了产品耐用性。
SFM-130-02-F-D-K-TR适用于多种高性能电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
4. 电池管理系统（BMS）中的过流保护。
5. 汽车电子中的电机驱动和负载控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 通信设备中的电源调节与分配。
SFP-130-02-F-D-K-TR
SFM-130-02-E-D-K-TR
SFM-130-03-F-D-K-TR
