HIR65-21C/B/L289/TR 是由 Vishay Semiconductors 制造的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大和开关应用而设计,广泛应用于通信设备、射频(RF)电路、音频放大器和其他高性能电子系统。该晶体管采用SOT-23(TO-236)封装,具有体积小、功耗低和响应速度快的特点,适合在高频率和中等功率条件下使用。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
最大工作温度:150 °C
封装类型:SOT-23(TO-236)
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):在2 mA时为110至800(根据等级不同)
HIR65-21C/B/L289/TR 晶体管具有良好的高频响应特性,适用于需要快速开关和低噪声放大的电路设计。其hFE值范围较宽,意味着它可以在不同偏置条件下提供稳定的放大性能。此外,该晶体管具有较低的饱和压降(Vce_sat),有助于减少导通损耗,提高整体效率。由于其封装尺寸小,非常适合用于空间受限的PCB布局设计。此外,该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
该器件的制造采用了先进的硅外延平面工艺,提高了器件的稳定性和一致性。其内部结构设计优化了载流子传输效率,从而提升了高频性能。在射频应用中,该晶体管可以用于低噪声放大器(LNA)和驱动放大器。在数字电路中,它可以用于高速开关应用,如逻辑门和缓冲器电路。此外,该晶体管还适用于电池供电设备,因为其低功耗特性有助于延长电池寿命。
HIR65-21C/B/L289/TR 晶体管常用于射频和音频放大电路、低噪声放大器(LNA)、驱动放大器、振荡器、混频器、模拟开关、逻辑电路以及各种便携式电子设备中的信号处理和放大应用。由于其高频特性,它也适用于无线通信模块、射频识别(RFID)系统和传感器接口电路。
2N3904, BC547, 2N2222, PN2222, MMBT3904