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IRF7424TR 发布时间 时间:2025/5/8 19:08:06 查看 阅读:3

IRF7424TR 是一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件具有较低的导通电阻和快速开关速度,适合于高频开关应用以及功率转换电路。其封装形式为TO-252 (DPAK),适用于表面贴装技术 (SMT)。IRF7424TR 的设计使其能够在高效率和低损耗的应用场景中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:115W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7424TR 具有较低的导通电阻,能够显著减少传导损耗,并提高系统效率。
  其快速开关性能使得它非常适合高频DC-DC转换器、同步整流器以及其他高频功率转换应用。
  此外,该器件具备较高的雪崩击穿能力,增强了在过载或短路情况下的鲁棒性。
  由于采用TO-252封装,IRF7424TR 可以方便地集成到表面贴装的电路板中,同时提供良好的散热性能。

应用

IRF7424TR 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动器中的功率级控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED照明驱动器中的高效功率转换组件。

替代型号

IRF7424GTRPBF, IRF7424DPBF

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IRF7424TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4030pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)