时间：2025/5/7 9:52:33
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IRF7389TR 是一款来自 Vishay 公司的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen IV 技术制造。该器件专为高频、高效率开关应用而设计，具有超低导通电阻和快速开关特性。
其封装形式为 Thin PowerPAK? 8x8，有助于提高散热性能并减少寄生电感的影响。IR泛用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL)、电机驱动、同步整流以及其他功率管理应用中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻 (Rds(on))：1.5mΩ (典型值，当 Vgs=10V 时)
栅极电荷：11nC (典型值)
总电容：240pF (典型值)
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：Thin PowerPAK? 8x8
IRF7389TR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高速开关性能，具备低栅极电荷和输出电荷，适合高频应用。
3. 改进的热性能，得益于 Thin PowerPAK? 封装技术，能够实现更高的功率密度。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，确保在严苛条件下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供出色的 ESD 保护能力以增强器件的抗干扰性能。
IRF7389TR 适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 通信电源中的 DC-DC 转换模块。
2. 计算机及服务器的负载点 (POL) 转换器。
3. 同步整流电路设计。
4. 工业自动化设备中的电机驱动。
5. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。
6. 开关模式电源 (SMPS) 和逆变器的应用场景。
IRF7389LPBF, IRF7389TRPBF
