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IRF7389TR 发布时间 时间:2025/5/7 9:52:33 查看 阅读:28

IRF7389TR 是一款来自 Vishay 公司的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TrenchFET Gen IV 技术制造。该器件专为高频、高效率开关应用而设计,具有超低导通电阻和快速开关特性。
  其封装形式为 Thin PowerPAK? 8x8,有助于提高散热性能并减少寄生电感的影响。IR泛用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL)、电机驱动、同步整流以及其他功率管理应用中。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻 (Rds(on)):1.5mΩ (典型值,当 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:11nC (典型值)
  总电容:240pF (典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装:Thin PowerPAK? 8x8

特性

IRF7389TR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,从而提升系统效率。
  2. 高速开关性能,具备低栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
  3. 改进的热性能,得益于 Thin PowerPAK? 封装技术,能够实现更高的功率密度。
  4. 强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在严苛条件下的可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 提供出色的 ESD 保护能力以增强器件的抗干扰性能。

应用

IRF7389TR 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 通信电源中的 DC-DC 转换模块。
  2. 计算机及服务器的负载点 (POL) 转换器。
  3. 同步整流电路设计。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动。
  5. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。
  6. 开关模式电源 (SMPS) 和逆变器的应用场景。

替代型号

IRF7389LPBF, IRF7389TRPBF

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IRF7389TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A,5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 5.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)