类型：光电晶体管输出光耦合器
　　正向电流（IF）：50 mA
　　反向电压（VR）：3 V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　功耗（PD）：150 mW
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%（取决于测试条件）
　　响应时间：3 μs（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：4-PDIP

EL-1100GD 具备优异的电气隔离性能和稳定的信号传输能力，适合在各种电子系统中使用。该光耦合器的核心特性之一是其高电流传输比（CTR），可在不同的输入电流条件下保持良好的输出线性度，确保信号的准确传递。其采用的红外LED和光电晶体管结构，使其在抗干扰和噪声抑制方面表现出色，特别适用于工业环境中的信号隔离。
　　此外，EL-1100GD 的紧凑型 4-PDIP 封装设计使其易于集成到 PCB 设计中，同时具备良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其低功耗设计和高可靠性，该器件广泛应用于自动化控制系统、电源管理电路、变频器以及各种通信接口设备中。
　　另一个关键特性是其高绝缘耐压能力，能够在输入和输出之间提供高达 5000 VRMS 的隔离电压，有效防止高压电路对低压控制电路的干扰和损害。这种高隔离性能使其成为需要电气隔离保护的电子系统中不可或缺的元件。

EL-1100GD 主要用于需要信号隔离和电气隔离的电子设备中，例如工业自动化控制系统、变频器、伺服电机控制器、电源供应器、通信接口电路、医疗电子设备以及家用电器中的控制电路。其优异的抗干扰能力和稳定的性能使其成为各种恶劣环境下的理想选择。

PC817, TLP521, 4N35