时间：2025/8/5 17:45:46
阅读：27
IXFK15N100是IXYS公司生产的一款高功率N沟道MOSFET，广泛应用于需要高电压和高电流的电力电子系统中。该器件采用TO-247封装，具有优异的导通特性和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种工业电源设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：15A
最大漏-源电压：1000V
导通电阻（Rds(on)）：约0.38Ω（典型值）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
功率耗散：200W
IXFK15N100具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其1000V的高漏-源电压能力使其适用于高电压系统，确保器件在高压环境下稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗并提高整体效率，这对电源转换设备尤为重要。
此外，IXFK15N100采用了先进的平面技术，提供良好的热稳定性和耐用性。其TO-247封装不仅具备良好的散热性能，还能在PCB安装时提供稳定的机械结构。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高系统的响应速度和效率。
为了保证长期可靠性，IXFK15N100设计有强大的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过电压和过电流冲击。这对于工业和电力电子应用中常见的负载突变和瞬态情况尤为重要。
IXFK15N100主要应用于高功率电源管理系统，包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业电源和太阳能逆变器等。其高电压和中等电流特性也使其适用于电焊机、感应加热系统和各种电力调节设备。
IXFH15N100P, IRF840, FQA19N100, FDPF15N100
