时间：2025/4/30 17:18:15
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S-SM360B 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频率下实现高效能量转换。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种需要大电流和高效率的应用场合。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体根据制造商设计而定。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：36A
导通电阻：1.5mΩ
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）<1.5mΩ，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
4. 内置 ESD 保护电路，提高了芯片的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 封装紧凑，便于 PCB 布局和散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和其他功率变换设备。
5. 各类负载切换和保护电路。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP177N06AEL
