时间：2025/7/23 10:05:14
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IRF731FI是由International Rectifier（IR）公司生产的一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的性能和高效率。IRF731FI具有低导通电阻、高电流容量和快速开关速度，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高可靠性和高效能的电路。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.8A
导通电阻(Rds On)：最大1.8Ω（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-92
IRF731FI具备一系列优异的电气特性和可靠性。其低导通电阻Rds(ON)确保在高电流下保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷(Qg)较低，使其在高频开关应用中表现优异，从而减少了开关损耗。
IRF731FI采用了TO-92封装，这种封装形式小巧且易于焊接，适合用于空间受限的PCB布局。由于其良好的热性能，该器件可以在高温环境下稳定运行。
该MOSFET还具有出色的雪崩能量能力，能够在异常条件下提供更高的可靠性和稳定性。其设计符合RoHS标准，适合环保型电子产品的应用。
IRF731FI主要用于低到中功率的电源管理系统中。典型应用包括DC-DC转换器、电机控制电路、电池充电管理、负载开关控制以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。此外，由于其高可靠性和紧凑的封装，它也常用于消费类电子产品，如便携式设备、LED照明驱动器以及小型电源适配器。
2N7002, BSS138, IRLML6401
