IRF7313TRPBF 时间：2024/7/19 14:30:52 阅读：293

IRF7313TRPBF是一款N沟道和P沟道MOSFET集成在同一芯片上的双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）驱动器。它适用于直流至高频率的开关应用，包括电源开关、电动工具、电动机控制、照明控制等领域。IRF7313TRPBF具有低开启延迟、高驱动能力和低静态功耗等特点，在高效率和高可靠性的应用中广泛使用。
　　MOSFET是一种半导体器件，由P型或N型半导体材料形成的源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，当栅极施加正电压时，会在栅极与漏极之间形成一个电场，将P型或N型半导体形成的电子汇集到栅极下方，从而在栅极与源极之间形成一个导电通道，使得漏极与源极之间的电阻降低，从而导通。当栅极施加负电压时，电子将被排斥到远离栅极的区域，导电通道关闭，MOSFET截止。

基本结构

IRF7313TRPBF的基本结构包括：源极、漏极和栅极，其中源极和漏极均为N型材料，栅极为P型材料。源极和漏极之间的距离非常短，形成了一个非常短的导电通道。IRF7313TRPBF的封装形式为SOT-23，尺寸为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm。

参数

●典型的N沟道MOSFET漏极电阻（RDS(on))：11mΩ
　　●典型的P沟道MOSFET漏极电阻（RDS(on))：19mΩ
　　●最大承受电压（VCEO）：40V
　　●最大承受电流（IC）：6A
　　●最大功率（Pd）：1.25W
　　●工作温度范围（Tj）：-40℃ ~ +150℃

特点

1、双极性晶体管驱动器
　　2、集成了N沟道和P沟道MOSFET
　　3、低开启延迟
　　4、高驱动能力
　　5、低静态功耗
　　6、高效率和高可靠性

工作原理

IRF7313TRPBF的工作原理基于双极性晶体管的工作原理。它由一个NPN型晶体管和一个PNP型晶体管组成，可以通过控制基极电流来控制电路的通断。当NPN晶体管的基极电流增加时，它的集电极电流也会增加，从而导致P沟道MOSFET的栅极电压上升，使其通电。当PNP晶体管的基极电流增加时，它的集电极电流也会增加，从而导致N沟道MOSFET的栅极电压下降，使其断电。通过控制NPN和PNP晶体管的基极电流，可以实现对N沟道和P沟道MOSFET的控制。