VNQ5E250AJTR 时间：2025/5/10 9:55:02 阅读：12

VNQ5E250AJTR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 Vishay 公司的 SiHF 系列。该器件采用小型 PQFN3*3 封装，适合用于高效率和高密度的开关应用。它具有低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于降低功耗并提高系统效率。VNQ5E250AJTR 的高雪崩能力和坚固的设计使其在恶劣环境下也能保持稳定运行。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：1.7mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PQFN3*3

特性

VNQ5E250AJTR 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗。
　　2. 高效的热性能，确保在高功率应用中的稳定性。
　　3. 快速开关速度，支持高频操作，适用于各种电源转换场景。
　　4. 良好的雪崩能力，提升器件在瞬态条件下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
　　6. 小尺寸 PQFN3*3 封装，节省 PCB 空间，非常适合空间受限的应用。

应用

VNQ5E250AJTR 广泛应用于多种电力电子领域，具体包括：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路，尤其是高效电动工具和家用电器。
　　3. 各类负载开关和保护电路。
　　4. 电池管理系统 (BMS)，如电动车电池组控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 通信设备中的电源解决方案。