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SI3438DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/10 16:38:23 查看 阅读:11

SI3438DV-T1-GE3 是一款高性能的同步降压直流-直流转换器,由 Vishay 提供。该器件集成了高边和低边 MOSFET,能够提供高达 3A 的连续输出电流。其工作电压范围为 4.5V 至 60V,非常适合工业、汽车和通信应用中的宽输入电压场景。它采用固定频率 PWM 控制模式,并且具备快速瞬态响应和高效率的特点。
  该芯片设计紧凑,支持小尺寸 PCB 布局,并提供了完善的保护功能,包括过流保护、短路保护和过温关断等。

参数

输入电压范围:4.5V 至 60V
  输出电流:3A
  开关频率:400kHz 至 2.2MHz 可调
  封装类型:SOIC-8
  效率:高达 95%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输出电压范围:0.8V 至 VIN - 3V

特性

SI3438DV-T1-GE3 具备以下主要特性:
  1. 集成高效能的高边和低边功率 MOSFET,减少了外部元件数量并简化了设计。
  2. 支持从 4.5V 到 60V 的宽输入电压范围,适用于多种电源场景。
  3. 输出电流能力高达 3A,满足大多数负载需求。
  4. 固定频率 PWM 模式确保稳定的工作状态,同时减少纹波和噪声。
  5. 内置软启动功能,有效降低浪涌电流对系统的影响。
  6. 提供全面的保护机制,增强系统的可靠性和安全性。
  7. 小型 SOIC-8 封装有助于节省 PCB 空间。

应用

这款芯片广泛应用于需要高效率和高可靠性电源解决方案的领域,具体应用包括:
  1. 工业自动化设备中的供电模块。
  2. 车载电子系统,如信息娱乐系统、导航系统等。
  3. 通信设备中的备用电池充电电路。
  4. LED 照明驱动器。
  5. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的电源管理单元。
  6. 数据采集系统以及传感器接口的稳压电源部分。

替代型号

SI3438DD-T1-GM3, SI3438DG-T1-GE3

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SI3438DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35.5 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 20V
  • 功率 - 最大3.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3438DV-T1-GE3TR