时间：2025/6/25 9:52:06
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GA1210H473KBXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于高频开关应用场合。其封装形式为行业标准型，便于集成到各种电路设计中。
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：1200V
额定电流：47A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：95nC
连续漏极电流：47A
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GA1210H473KBXAR31G具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高额定电压和大电流承载能力，适合多种工业和汽车应用。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少电磁干扰和开关损耗。
4. 优异的热稳定性，即使在极端条件下也能保持稳定运行。
5. 强大的短路耐受能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS环保标准，满足现代电子产品的绿色要求。
该型号的MOSFET适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 电动车和混合动力车的牵引逆变器。
5. 高效DC-DC转换器和负载点电源模块。
6. 各种需要高压大电流开关的应用场景。
IRFP460N
FDP18N120
STW47N12MD
IXFN47N120T2
