类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

GM5SAE65P0A MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。此外，该器件具有优异的开关性能，能够在高频条件下稳定运行，适用于高频率的功率转换应用。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性和耐久性，在高温环境下依然能够保持良好的工作性能。同时，其强大的电流承载能力和较低的热阻使其非常适合用于高功率密度的设计。
　　在可靠性方面，GM5SAE65P0A具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压和过流条件下提供更高的安全裕度。其坚固的结构设计和高质量的封装工艺确保了长期使用的稳定性和耐用性，适合工业级和汽车级应用需求。

GM5SAE65P0A广泛应用于多种高功率电子系统中，例如电动车（EV）充电设备、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、服务器电源、工业电机驱动和功率因数校正（PFC）电路等。在电动车和新能源系统中，该MOSFET能够有效提升能量转换效率，延长电池续航时间。
　　在消费类电子产品中，如高性能计算机电源和大功率LED驱动电路，该器件也可提供稳定可靠的功率控制解决方案。此外，在电机控制应用中，由于其低导通电阻和高电流能力，能够显著降低功率损耗，提高系统整体效率。
　　对于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS），该MOSFET同样表现出色，能够承受严苛的工作环境并提供稳定的电气性能。

TKA100E60CP1, IPP100N6N3G, IRFP4468PBF