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IRF7240PBF 发布时间 时间:2025/7/10 20:23:18 查看 阅读:5

IRF7240PBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为 TO-263 (DPAK),能够提供出色的散热性能。
  IRF7240PBF 的设计目标是降低功耗并提高系统效率,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及其他需要高性能功率开关的应用场景。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:35A
  导通电阻(典型值):8mΩ
  栅极电荷:57nC
  总电容(输入电容):1390pF
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-263

特性

IRF7240PBF 提供了低导通电阻以减少传导损耗,从而提高了系统的整体效率。
  该器件采用了 Vishay 先进的 PowerTrench 技术,能够在高频率下实现快速开关,同时保持较低的开关损耗。
  其坚固的设计使其能够承受雪崩和过载条件,增强了可靠性。
  此外,它还具有极低的反向传输电容,有助于进一步提升开关性能。
  由于具备良好的热特性和大电流处理能力,IRF7240PBF 在高功率密度应用中表现出色。

应用

IRF7240PBF 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - 降压和升压 DC-DC 转换器
  - 电池管理系统中的负载开关
  - 电动工具和小型家电的电机驱动
  - 工业控制和自动化设备中的功率管理
  - 计算机及外设的供电电路
  凭借其卓越的性能,这款 MOSFET 成为许多功率敏感型应用的理想选择。

替代型号

IRF7241PBF
  IRF7242PBF
  IRF7243PBF
  STP36NF10L
  AO3652

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IRF7240PBF产品

IRF7240PBF参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 10.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9250pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件