时间：2025/8/20 19:05:52
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PJMH190N60E1是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种高功率密度和高效率的电力电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：190A
漏源极击穿电压（VDS）：600V
栅源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.045Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
PJMH190N60E1具有多项卓越的性能特点，首先，其低导通电阻确保了在大电流应用中能够减少功率损耗，提高整体效率。其次，高耐压能力（600V）使其适用于高压电力电子设备，如工业电源、不间断电源（UPS）和电机驱动器。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了设备的可靠性。其封装设计优化了散热性能，有助于提高系统的热管理能力。此外，该器件的快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用。最后，PJMH190N60E1具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保护器件不受损坏，延长使用寿命。
PJMH190N60E1广泛应用于工业电源、UPS系统、电机驱动器、太阳能逆变器、开关电源（SMPS）以及高功率DC-DC转换器等电力电子设备中。其高效能和高可靠性使其成为这些高要求应用场景的理想选择。
STW190N60DF2, IPP190N60S5-03
