时间：2025/5/14 18:57:40
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IRF7233是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的功率MOSFET技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于各种功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换等。IRF7233的工作电压范围宽广，能够承受高达55V的漏源极电压，同时具备优秀的电流承载能力。
漏源极电压：55V
连续漏极电流：18A
导通电阻：6mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
栅极电荷：28nC（典型值）
总电容：480pF（输入电容）
最大功耗：135W
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRF7233具有非常低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高效率。它的快速开关特性使得其在高频应用中表现出色。此外，该器件还具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠运行。
IRF7233采用了TO-252表面贴装封装形式，这种封装方式不仅节省空间，而且有助于提升散热性能。由于其出色的电气特性和可靠性，IRF7233成为许多高效能电源设计的理想选择。
IRF7233广泛应用于各类电子设备中，例如笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电路、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及电动工具的电机控制电路等。此外，在工业自动化领域，它也可以用作固态继电器或作为功率级元件参与逆变器设计。
凭借其低Rds(on)和高速开关能力，IRF7233非常适合要求高效率和小尺寸解决方案的应用场景。
IRF7443, IRF7203
