时间：2025/5/8 12:04:08
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PTVSHC3D4V5B 是一款基于超结技术的高压 MOSFET，属于英飞凌（Infineon）推出的 PTV 系列。该器件采用 TO-263-3 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其设计优化了导通电阻和开关性能，在高效率和高频率应用中表现出色。
最大漏源电压：450V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：0.95Ω
栅极电荷：18nC
总电容：1150pF
最大工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
PTVSHC3D4V5B 的核心特点是采用了先进的超结技术，这种技术大幅降低了导通电阻，同时提高了器件的热稳定性和可靠性。
该器件具有较低的栅极电荷，这使得其开关速度更快，并且能够有效降低开关损耗。
此外，它具备出色的热性能，允许在更高的环境温度下运行，适合工业和汽车级应用。
由于其高击穿电压和低导通电阻的组合，这款 MOSFET 在高频开关应用中表现出优异的效率。
PTVSHC3D4V5B 广泛用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的功率开关
6. 汽车电子中的负载开关
其高压特性和低导通电阻使其成为上述应用场景的理想选择。
PTVSHC3D5K, PTVSC3D4V5B
