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IRF720PBF 发布时间 时间:2025/5/15 14:49:22 查看 阅读:1

IRF720PBF是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由Vishay公司生产。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。IRF720PBF具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时具备快速开关速度,使其在高频应用中表现优异。
  这种MOSFET的主要特点是高效率和高可靠性,适用于需要高效能和低损耗的场合。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:7A
  脉冲漏极电流:35A
  导通电阻(典型值):0.6Ω
  栅极电荷:19nC
  输入电容:1450pF
  总功耗:63W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRF720PBF具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,能够满足大功率负载的需求。
  4. 稳定的工作性能,在较宽温度范围内保持良好的电气特性。
  5. 良好的热性能设计,有助于散热和长期稳定运行。
  6. 具备出色的抗雪崩能力,增强了器件的耐用性和可靠性。

应用

IRF720PBF被广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. 逆变器和转换器中的关键组件。
  4. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. LED照明系统的驱动电路。
  6. 电池管理系统中的充放电控制元件。
  7. 电信和网络设备中的功率管理单元。

替代型号

IRF720,
  IRFZ44N,
  STP75NF06,
  FDP5600,
  IXFK70N10T2

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IRF720PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 欧姆 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds410pF @ 25 V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF720PBF