SMP211SRI 时间：2025/8/6 21:46:44 阅读：13

SMP211SRI 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。SMP211SRI 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等电路。其封装形式为 DPAK（TO-252）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：9 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.145 Ω @ Vgs = 10 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

SMP211SRI MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适合在高要求的功率应用中使用。
　　首先，其漏源电压（Vds）为 100 V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源转换应用，包括反激式和正激式 DC-DC 转换器。该器件的栅源电压为 ±20 V，支持较高的栅极驱动电压以降低导通损耗，同时具备良好的栅极氧化层保护能力。
　　其次，SMP211SRI 的连续漏极电流为 9 A，能够支持中高功率负载需求。其导通电阻（Rds(on)）仅为 0.145 Ω，在 Vgs = 10 V 条件下，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热设计的复杂度。　　最后，SMP211SRI 具备快速开关能力，降低开关损耗，并支持高频工作模式，适用于高效能电源转换器的设计。其高可靠性与耐用性使其成为多种中高功率电子系统中的理想选择。

应用

SMP211SRI MOSFET 广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。
　　在 DC-DC 转换器中，SMP211SRI 可作为主开关元件，用于升压（Boost）、降压（Buck）或反相（Inverting）拓扑结构，适用于工业电源、服务器电源和电信设备中的电源模块设计。其低导通电阻和高开关速度有助于提高转换效率并减小外围元件的尺寸。
　　在电池管理系统（BMS）中，SMP211SRI 可用于电池充放电控制、过流保护和负载切换，确保电池组的安全运行并延长使用寿命。其耐压能力和稳定的工作特性使其特别适合用于电动工具、便携式设备和储能系统。
　　此外，该器件还可用于电机驱动和负载开关应用，例如在汽车电子系统中作为功率开关，控制车灯、风扇、泵等负载。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣的工业和汽车环境。
　　在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中，SMP211SRI 同样表现出色，可作为主开关或同步整流器使用，提高整体系统效率并降低发热损耗。