时间：2025/4/29 16:44:10
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IRF7104TRPBF 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies制造。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，非常适合于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为TO-252 (DPAK)，能够提供良好的散热性能和易于PCB布局的设计便利性。
这款MOSFET的主要用途包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：98A
导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ（在VGS=10V时）
总功耗(Ptot)：115W
工作结温范围(TJ)：-55℃至+175℃
封装类型：TO-252(DPAK)
IRF7104TRPBF具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，可支持高达98A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，可以有效降低开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于PCB布板并节省空间。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
IRF7104TRPBF主要应用于以下几个方面：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器内的同步整流或降压升压电路。
3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
4. 负载开关及保护电路。
5. 各种便携式电子设备中的电池管理模块。
由于其优异的电气特性和热性能，该器件广泛用于消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域。
IRF7103TRPBF, IRF7105TRPBF
