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2SC3914-TB-E 发布时间 时间:2025/9/20 13:25:01 查看 阅读:9

2SC3914-TB-E是一款由ROHM Semiconductor(罗姆半导体)生产的NPN型硅双极结型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装(S-Mini),适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。2SC3914-TB-E广泛应用于便携式通信设备、射频(RF)模块、电视和音频信号放大器以及各种消费类电子产品中。该晶体管经过优化,能够在高频条件下提供优异的增益和低噪声性能,使其成为小信号处理应用的理想选择。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于现代绿色电子制造流程。2SC3914-TB-E的“-TB-E”后缀通常表示其卷带包装形式和符合特定环保等级(如无卤素或符合特定批次规范),便于自动化贴片生产。由于其稳定的电气特性和良好的热稳定性,这款晶体管在长期运行中表现出较高的可靠性,是许多工业和消费类设计中的常用元件之一。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):70V
  发射极-基极电压(VEBO):4V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(Pc):200mW
  直流电流增益(hFE):70~700(测试条件:VCE=6V, IC=5mA)
  过渡频率(fT):80MHz
  工作结温(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装形式:S-Mini (SC-70 equivalent)
  极性:NPN
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

2SC3914-TB-E具有出色的高频响应能力,其典型过渡频率(fT)高达80MHz,使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。在小信号放大应用中,该晶体管展现出宽广的增益带宽积,能够有效放大从几十kHz到数百MHz范围内的信号,尤其适用于FM收音机、无线接收模块和电视调谐器等高频系统。该器件的直流电流增益(hFE)范围较宽(70~700),在不同工作电流下仍能保持稳定的放大性能,这得益于其精密的制造工艺和材料控制。这种宽增益分布使得工程师可以在设计中灵活选择偏置点,以优化噪声系数、功耗与增益之间的平衡。
  该晶体管采用S-Mini小型封装,尺寸紧凑(典型尺寸约为2mm x 1.25mm x 0.95mm),极大节省了PCB布局空间,特别适用于智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品。尽管体积小,但其热阻设计合理,能够在200mW的功率耗散范围内稳定工作,具备一定的过载承受能力。此外,该封装具有良好的焊接可靠性和机械强度,支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺,适应现代自动化生产线的要求。
  2SC3914-TB-E的电气特性在宽温度范围内保持稳定,工作结温可达-55°C至+150°C,确保其在恶劣环境下的可靠运行。其低饱和压降(VCE(sat))特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。同时,该器件具备较低的寄生电容(如Cob典型值为3pF),减少了高频信号的相位失真和信号衰减,提升了整体信号完整性。这些综合特性使2SC3914-TB-E不仅适用于模拟小信号放大,也可用于数字开关电路,实现快速上升和下降时间的脉冲信号处理。

应用

2SC3914-TB-E广泛应用于高频小信号放大电路,例如在便携式无线通信设备中作为射频前置放大器,提升接收灵敏度。它也常用于电视和广播调谐器模块中,对微弱的空中信号进行初步放大,确保后续解调电路的输入质量。此外,该晶体管可用于音频前置放大器、信号缓冲级和有源滤波器等模拟电路中,利用其高增益和低噪声特性改善音质表现。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和无线遥控器中,2SC3914-TB-E作为开关或驱动元件,控制LED指示灯、传感器模块或射频开关的通断状态。工业控制设备中的传感器信号调理电路也常采用此类晶体管进行微弱信号的线性放大。由于其表面贴装封装和高可靠性,该器件还适用于汽车电子中的非动力系统,如车载娱乐系统和车内通信模块。总之,凡需要小型化、高频响应和稳定增益的模拟或混合信号场景,2SC3914-TB-E均是一个可靠的选择。

替代型号

[
   "2SC3914",
   "MMBT3904",
   "BC847B",
   "2SC3838",
   "KSC1845"
  ]

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2SC3914-TB-E参数

  • 典型电阻比0.22
  • 典型输入电阻器2.2 k
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.5mm
  • 封装类型CP
  • 尺寸2.9 x 1.5 x 1.1mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最大功率耗散200 mW
  • 最大发射极-基极电压6 V
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.3 V
  • 最小直流电流增益50
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 配置
  • 长度2.9mm
  • 高度1.1mm