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IRF7103Q 发布时间 时间:2025/5/30 15:40:09 查看 阅读:8

IRF7103Q 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用了 PowerPAK SO-8 封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。由于其优越的电气特性和可靠性,IRF7103Q 广泛应用于汽车电子系统中的负载切换、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
  该器件符合 AEC-Q101 标准,确保其能够在严苛的汽车环境中稳定运行,并且支持无铅 (Pb-free) 和 RoHS 合规性要求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:49nC
  工作温度范围:-40℃ 至 +175℃
  封装形式:PowerPAK SO-8

特性

IRF7103Q 的主要特性包括以下几点:
  1.ds(on)),能够显著降低功耗并提升效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,具备优异的可靠性和抗振能力。
  5. 工作温度范围宽广 (-40℃ 至 +175℃),适用于各种极端环境。
  6. 紧凑的 PowerPAK SO-8 封装,节省 PCB 空间并提供良好的散热性能。
  7. 支持无铅和 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

IRF7103Q 常见的应用领域包括:
  1. 汽车电子系统中的负载切换控制。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 汽车电机驱动及保护电路。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的开关元件。
  5. 通信设备中的功率管理模块。
  6. 工业自动化和机器人技术中的电源控制部分。

替代型号

IRF7104Q, IRF7105Q, Si7104DP

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IRF7103Q参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds255pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7103Q