型号：RF2626-000
　　工作频率范围：700 - 1000 MHz
　　小信号增益：典型值32 dB
　　输出P1dB：典型值30 dBm
　　增益平坦度：±0.5 dB（在整个频带内）
　　输入驻波比（VSWR）：典型值1.8:1
　　输出驻波比（VSWR）：典型值2.0:1
　　供电电压（Vcc）：+28 V
　　静态工作电流：约120 mA（可调偏置）
　　调制信号支持：支持QPSK, 16-QAM, 64-QAM, LTE OFDMA
　　谐波抑制：优于-30 dBc
　　三阶交调失真（IMD3）：低于-35 dBc @ 满功率输出
　　封装形式：陶瓷/金属封装，表面贴装型（SMT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

RF2626-000射频功率放大器模块具备卓越的线性度与高增益特性，使其在复杂的调制环境下依然能够维持低失真信号放大能力。其核心采用LDMOS或GaAs异质结双极晶体管（HBT）技术，能够在700MHz至1000MHz频段实现稳定且高效的功率输出。该器件的小信号增益高达32dB，且在整个工作频带内具有出色的增益平坦度（±0.5dB以内），有效减少了后续均衡处理的负担，提升了整体链路性能。得益于优化的内部匹配网络设计，RF2626-000在输入与输出端口均实现了较低的驻波比（VSWR），分别典型值为1.8:1和2.0:1，这不仅增强了系统的阻抗兼容性，还降低了因反射引起的信号损耗和潜在损坏风险。该器件支持多种主流数字调制格式，包括QPSK、16-QAM、64-QAM及LTE所用的OFDMA，适用于多模式基站收发信机（BTS）平台。
　　为了适应不同应用场景下的功耗管理需求，RF2626-000提供可调节的偏置电流设置功能，允许用户根据实际输出功率要求进行动态调整，从而在效率与线性度之间取得最佳平衡。同时，其内置的热关断与过流保护机制显著提高了长期运行的可靠性和安全性，尤其是在高温或异常负载条件下仍能保障芯片不被损坏。该器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，满足工业级环境要求，适合部署于户外基站、分布式天线系统（DAS）以及远程射频单元（RRU）等严苛环境中。此外，RF2626-000采用小型化陶瓷金属封装，具备优良的散热性能和机械强度，可通过标准SMT工艺进行自动化装配，大幅降低生产成本并提升制造良率。其高度集成化的设计减少了外围元件数量，缩短了产品开发周期，是构建高效、紧凑型射频前端的理想选择。

RF2626-000主要应用于各类无线通信基础设施中的射频功率放大环节，尤其适用于蜂窝网络基站系统。它广泛用于宏蜂窝、微蜂窝和微微蜂窝基站的发射链路中，支持GSM、EDGE、WCDMA、HSPA以及LTE等多种通信协议，特别适合部署在700MHz至960MHz频段的低频段通信系统中，这些频段具有较强的穿透能力和广域覆盖优势，常用于农村地区覆盖和城市深度覆盖解决方案。此外，该器件也被集成于分布式天线系统（DAS）和室内覆盖增强设备中，用于提升商场、地铁、机场等封闭空间内的信号质量。在公共安全通信系统（如TETRA、P25）和专网通信设备中，RF2626-000同样表现出色，因其高线性度和稳定的输出特性，能够确保关键语音和数据传输的完整性与可靠性。
　　在有线电视（CATV）和宽带无线接入（BWA）系统中，该器件可用于上行通道的信号放大，提高回传链路的信噪比。此外，由于其良好的互调性能和低噪声贡献，RF2626-000也可用于测试测量仪器、射频仿真器和通用宽带放大器模块中，作为中等功率驱动级使用。随着5G NR非独立组网（NSA）架构的发展，部分早期5G部署仍依赖于4G锚点频段，因此RF2626-000在向5G过渡期间仍具有重要价值，可用于升级现有4G基础设施以支持更高容量的数据传输。其高可靠性和环境适应性也使其成为应急通信车、移动指挥平台和军用通信装备中的优选器件之一。

RF2628-000
　　RF3626-000
　　AMC2626-000