类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：45 A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：140 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大功耗（PD）：43 W（在TC=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.7 mΩ（在VGS=10 V时）
　　导通电阻（RDS(on) typ）：4.0 mΩ（在VGS=10 V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.5 V ~ 2.3 V
　　输入电容（Ciss）：1900 pF（在VDS=15 V时）
　　输出电容（Coss）：640 pF（在VDS=15 V时）
　　反向恢复时间（trr）：22 ns
　　栅极电荷（Qg）：24 nC（在VGS=10 V，ID=20 A时）
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C

IRF6613的核心优势在于其采用了英飞凌专有的OptiMOS?技术，这是一种基于超结结构优化的沟道设计，能够实现极低的导通电阻与优异的开关性能之间的最佳平衡。该器件在30V额定电压下实现了仅4.7mΩ的最大RDS(on)，这在同类产品中处于领先水平，意味着在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热，提升系统效率。此外，其低栅极电荷（Qg = 24nC）特性使得驱动电路所需功耗更低，尤其适用于高频开关应用如同步降压转换器或多相VRM设计，可有效降低动态损耗并简化驱动器选型。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和封装设计。PowerPAK SO-8封装采用无引线设计，底部带有暴露焊盘，能够通过PCB高效散热，显著降低热阻（典型θJC ≈ 2.5°C/W），从而在有限空间内实现更高的功率处理能力。这种封装还减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提升EMI性能。
　　IRF6613还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其阈值电压范围适中（1.5V~2.3V），兼容主流逻辑电平驱动信号（如3.3V或5V PWM控制器），便于系统集成。同时，器件具有低输出电容（Coss）和高增益特性，有利于快速开关切换，减少死区时间损耗。总体而言，IRF6613是一款兼顾低导通损耗、快速开关响应和高可靠性的先进功率MOSFET，适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。

IRF6613广泛应用于需要高效能、高电流密度和小型化设计的电源系统中。典型应用包括同步降压转换器（Buck Converter），特别是在多相供电架构中作为下管或上管使用，用于服务器、笔记本电脑和高端主板的电压调节模块（VRM），以满足CPU/GPU对动态响应和低纹波电压的需求。此外，它也适用于DC-DC电源模块、POL（Point-of-Load）转换器以及电池供电系统的电源管理单元，凭借其低RDS(on)和小封装尺寸，可在有限空间内实现高效能量转换。
　　在电机驱动领域，IRF6613可用于驱动直流电机或步进电机的H桥电路，其快速开关特性和低导通损耗有助于提升驱动效率并减少发热。在热插拔控制器和负载开关电路中，该器件可作为主开关元件，提供快速响应和过流保护支持。同时，由于其良好的热稳定性和可靠性，也适用于工业自动化设备、网络通信设备和消费类电子产品中的电源部分。
　　此外，IRF6613还可用于LED驱动电源、USB PD快充适配器以及便携式设备的电源管理系统中，尤其在需要高效率和高功率密度的设计中表现出色。其兼容性强、易于集成的特点使其成为现代高效率开关电源设计中的优选器件之一。

BSC047N03LS
　　BSC050N03MS
　　IRLHS6613