FDS7779Z-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 PDPAK-8 封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
其出色的性能参数使得 FDS7779Z-NL 在效率和热管理方面表现出色,能够满足现代电力电子系统对高性能功率半导体的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:28A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:23nC
开关速度:快速
封装形式:PDPAK-8
工作温度范围:-55℃至175℃
FDS7779Z-NL 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,非常适合开关电源和转换器应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 优化的栅极电荷设计,减少了驱动损耗并提高了整体性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于各种工业和消费类电子产品。
6. 宽泛的工作温度范围,确保了器件在极端环境下的稳定性。
FDS7779Z-NL 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代。
3. 电机驱动器中的功率级控制元件。
4. 负载开关及保护电路中的关键组件。
5. 可再生能源系统中的逆变器和转换器模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节与控制单元。
FDS7779Z, FDP5570N, IRF7779