时间：2025/3/25 14:09:40
阅读：5
IRF640N是一种N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：8A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压，可承受高达500V的漏源电压。
2. 较低的导通电阻，在额定条件下仅为0.18Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频应用。
4. 内置反向恢复二极管，适用于同步整流和续流电路。
5. 小信号控制兼容性，栅极驱动电压低至4V即可开启。
6. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 逆变器设计中的功率级驱动。
4. 各种工业控制设备中的电机驱动电路。
5. 电子负载和测试设备中的功率调节组件。
6. 其他需要高频、高效功率切换的应用场景。
IRF640,
STP12NF50,
FDP15N50,
IXFN50N10T2
