容量：16Mbit（2MB）
　　接口：SPI
　　工作电压：1.65V - 3.6V
　　最大时钟频率：80MHz
　　读取速度：120MHz
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　封装类型：8引脚SOIC
　　存储结构：可擦写10万次，数据保持10年

W25Q16JWSNIM TR具有多项高性能特性，包括高速SPI接口支持高达80MHz的时钟频率，允许快速读取数据，满足实时应用的需求。该芯片支持多种操作模式，包括标准SPI、双输出SPI、四输出SPI以及QPI（Quad Peripheral Interface），提供更高的数据传输效率。此外，W25Q16JWSNIM TR支持多种安全功能，如软件和硬件写保护，防止未经授权的数据修改，确保系统安全性和数据完整性。其低功耗设计使其适用于电池供电设备，延长设备的续航时间。
　　这款闪存芯片内置高质量存储单元，具备优异的耐久性和数据保持能力，可进行高达100,000次擦写循环，数据保存时间可达10年以上。此外，该芯片支持JEDEC标准的制造标识符，便于系统识别和管理。W25Q16JWSNIM TR还支持多种附加功能，如唯一ID读取、连续读取模式和休眠模式，为开发者提供更多的灵活性和控制选项。

W25Q16JWSNIM TR适用于多种嵌入式系统和电子设备，如微控制器单元（MCU）的外部程序存储器、物联网设备的固件存储、工业控制系统的数据记录、消费电子产品的配置存储等。其高速SPI接口和低功耗特性使其非常适合用于智能家居设备、穿戴式设备、无线通信模块和汽车电子系统。此外，该芯片也常用于需要安全存储的场景，如安全认证、固件更新和数据加密应用。

M25P16, SST25WF016B, AT25SF041