时间：2025/5/8 8:29:49
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IRF5803D2TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能和耐用性。
这款 MOSFET 适用于需要高效能、低损耗的电路设计，例如 DC-DC 转换器、负载开关、逆变器以及电池管理等系统中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：37nC（典型值）
开关速度：快速
功耗：27W（在 Ta=25°C 条件下）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
IRF5803D2TR 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了低功耗和高效的能量转换。
2. 快速开关速度减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 高额定电流支持大功率输出。
4. 宽工作温度范围使其能够适应恶劣环境下的运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 优异的热性能保证了长期稳定性和可靠性。
7. 封装坚固耐用，便于安装和使用。
IRF5803D2TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池保护和管理系统。
4. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统的负载切换和电源管理。
7. 大功率 LED 驱动器。
IRF540N, IRFZ44N, FDP18N40
