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IRF5803D2TR 发布时间 时间:2025/5/8 8:29:49 查看 阅读:22

IRF5803D2TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有良好的散热性能和耐用性。
  这款 MOSFET 适用于需要高效能、低损耗的电路设计,例如 DC-DC 转换器、负载开关、逆变器以及电池管理等系统中。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:2.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  开关速度:快速
  功耗:27W(在 Ta=25°C 条件下)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

IRF5803D2TR 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了低功耗和高效的能量转换。
  2. 快速开关速度减少了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高额定电流支持大功率输出。
  4. 宽工作温度范围使其能够适应恶劣环境下的运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 优异的热性能保证了长期稳定性和可靠性。
  7. 封装坚固耐用,便于安装和使用。

应用

IRF5803D2TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 电池保护和管理系统。
  4. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统的负载切换和电源管理。
  7. 大功率 LED 驱动器。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, FDP18N40

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IRF5803D2TR产品

IRF5803D2TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)