AP18T10GI 时间：2025/10/31 16:40:59 阅读：25

AP18T10GI是一款由Diodes Incorporated（达尔科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率开关应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换场景。AP18T10GI封装在小型且符合RoHS标准的SO-8表面贴装封装中，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。由于其高性能与紧凑设计，这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。
　　该器件的工作电压等级为100V，能够承受较高的漏源电压，在实际应用中具备较强的耐压能力，适合中等电压范围内的功率控制任务。同时，AP18T10GI在栅极阈值电压设计上优化了与逻辑电平的兼容性，使其可以直接由3.3V或5V微控制器驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化系统设计并降低成本。此外，该MOSFET还具备较低的栅极电荷和米勒电容，有助于减少开关损耗，提高整体能效，特别是在高频开关环境下表现优异。
　　AP18T10GI通过严格的可靠性测试，并符合工业级工作温度范围要求（-55°C至+150°C），确保在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行。其封装形式支持自动贴片生产流程，便于大规模自动化组装，提升了制造效率和产品一致性。总体而言，AP18T10GI是一款集高性能、小尺寸和高可靠性于一体的MOSFET器件，非常适合对空间和效率有较高要求的应用场合。

参数

型号：AP18T10GI
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大连续漏极电流(ID)：9A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：36A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, ID=4.5A
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.5A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.1V ~ 2.2V
　　栅极电荷(Qg)：17nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：580pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO-8
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　符合RoHS标准：是

特性

AP18T10GI采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的有效沟道宽度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提升电流处理能力。其典型RDS(on)值仅为18mΩ（在VGS=10V时），即使在较小的封装下也能实现高效的功率传输，减少发热，提高系统整体效率。这一低导通电阻特性特别适用于大电流开关应用，如同步整流、H桥驱动和电池供电系统的电源切换。
　　该器件具备优异的开关动态性能。由于采用了优化的芯片设计，AP18T10GI拥有较低的栅极电荷（Qg = 17nC）和输入电容（Ciss = 580pF），这使得它在高频开关应用中表现出色，能够快速响应栅极驱动信号，缩短开关过渡时间，从而有效降低开关损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器、开关电源（SMPS）以及LED驱动电源尤为重要，有助于实现更高的转换效率和更小的外围滤波元件尺寸。
　　AP18T10GI的栅极阈值电压范围为1.1V至2.2V，这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下开始导通，支持与逻辑电平信号直接接口，例如由微控制器GPIO引脚输出的3.3V或5V信号即可完全驱动该MOSFET进入饱和导通状态，无需额外的驱动IC，简化了电路设计并降低了成本。同时，其最大栅源电压可达±20V，提供了足够的安全裕量，防止因过压导致的栅氧层击穿，增强了器件的鲁棒性。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性。SO-8封装虽然体积小巧，但通过优化的引线框架设计和封装材料选择，能够在较高功耗下有效散热。结合内部芯片的热设计，AP18T10GI可在结温高达+150°C的环境中持续工作，满足大多数工业和消费类电子产品的需求。此外，器件通过了AEC-Q101等可靠性认证（视具体批次而定），适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。其反向恢复时间较短（trr=28ns），配合体二极管使用时可减少换流过程中的能量损耗，进一步提升系统效率。

应用

AP18T10GI被广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：同步整流式DC-DC降压或升压转换器，在这些电路中作为主开关或续流开关使用，利用其低RDS(on)特性减少传导损耗，提高电源效率；电源管理单元中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护；电机驱动电路中作为低端开关，驱动直流电机或步进电机的绕组；在电池管理系统（BMS）中用于充放电路径的通断控制；还可用于LED照明驱动、热敏打印机头驱动、USB电源开关以及便携式设备中的电源多路复用等场景。
　　由于其SO-8封装支持回流焊工艺，非常适合自动化SMT生产线，因此在通信设备、工业控制板、智能家居终端、车载电子模块以及消费类电子产品（如平板电脑、智能音箱）中均有广泛应用。此外，AP18T10GI也可用于ORing电路、逆变器和逆变电源中的功率切换环节，凭借其快速开关能力和良好热性能，保障系统长时间稳定运行。