时间：2025/8/20 21:30:37
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FFSH40120ADN-F085 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 1200V、40A 的 SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管（SBD）。这款器件采用先进的碳化硅技术，具有低正向压降、高反向阻断电压和出色的热性能，适用于高功率、高频率的电力电子应用。FFSH40120ADN-F085 采用 TO-247-3 封装，便于在各种电源转换系统中使用。由于其优异的材料特性，该器件在高温环境下依然能保持稳定的工作性能。
类型：SiC 肖特基二极管
最大反向电压（VR）：1200V
最大正向电流（IF）：40A
正向压降（VF）：约1.8V（典型值，@IF=40A）
反向漏电流（IR）：约100μA（@VR=1200V，Tj=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247-3
热阻（RthJC）：约0.8°C/W
安装类型：通孔
FFSH40120ADN-F085 作为一款 SiC 肖特基二极管，具有多项显著的技术优势。首先，其采用碳化硅材料，具备宽禁带特性，使得器件能够在更高的温度、更高的电压和更高的频率下工作，同时减少了能量损耗。这种材料特性使得该二极管非常适合用于高效率的电源转换系统。
其次，该器件具有零反向恢复电荷（Qrr）和几乎为零的反向恢复时间（trr），这使其在高频开关应用中表现出色，能够显著降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI）问题。此外，由于没有反向恢复电流，可以减少对主开关器件的应力，提高系统可靠性。
在电气性能方面，FFSH40120ADN-F085 具有较低的正向压降（VF），在满载电流下约为 1.8V，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。同时，其最大反向电压为 1200V，使其适用于中高压功率转换应用，如工业电源、光伏逆变器和电动车充电系统等。
封装方面，该器件采用 TO-247-3 封装形式，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于多种 PCB 安装方式。该封装也便于散热器的安装，以提升器件在高负载条件下的散热能力。
FFSH40120ADN-F085 适用于多种高功率和高效率的电力电子系统。其主要应用包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电机驱动器以及高功率开关电源（SMPS）。由于其优异的高频特性和低损耗特性，该器件也常用于提高系统效率并减小电源模块的体积。
FFSH40120ADN-F085
