类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：94A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 40mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

IRF540U MOSFET 具有多个显著特性，使其适用于各种高功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的高电流承载能力（高达 94A）使其适用于高负载应用，例如电机驱动和电源管理系统。
　　此外，IRF540U 的 TO-252（DPAK）封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高功率工作条件下维持稳定运行。该封装也便于 PCB 上的安装和焊接，适合自动化生产流程。同时，该 MOSFET 支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频工作的 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　在可靠性方面，IRF540U 设计有良好的短路和过热保护能力，能够在严苛的工业环境中稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）也确保了在极端温度条件下的可靠性，适用于工业自动化、汽车电子和消费类高功率设备。

IRF540U 广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理（如开关电源、DC-DC 转换器）、电机驱动电路、逆变器、电池管理系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车的电力电子系统。此外，该器件也适用于需要高电流开关能力的工业自动化设备和消费电子产品。

IRFZ44N, IRF3710, IRF1405, STP90N3LLH5, FDP55N50U