时间：2025/9/14 9:30:13
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BAS70-06/DG/B2 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的双通道、低压降、小信号肖特基二极管阵列。该器件设计用于需要高速开关和低正向电压降的应用，广泛应用于通信设备、计算机外围设备、工业控制系统和消费类电子产品中。BAS70-06/DG/B2 采用SOT-23（SC-59）封装，适合表面贴装工艺，具有较高的可靠性与稳定性。
类型：肖特基二极管阵列
配置：双通道共阴极
最大正向电流：100 mA
最大正向电压（IF=10mA时）：0.3 V
最大反向电压：30 V
反向漏电流（VR=30V时）：100 nA
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23（SC-59）
BAS70-06/DG/B2具有多个关键特性，使其适用于多种电子设计。首先，该器件采用肖特基势垒结构，具有较低的正向压降，通常在10 mA工作电流下仅为0.3 V，这有助于降低功耗并提高效率。其次，其快速恢复时间（trr）小于4 ns，使其适用于高频开关应用，如RF解调、整流和高速逻辑电路保护。
此外，BAS70-06/DG/B2具有良好的热稳定性和高可靠性，可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的电子系统。其低反向漏电流（最大100 nA在30 V反向电压下）也保证了在高温或高压条件下的稳定性。
该器件的SOT-23封装体积小巧，便于集成于高密度PCB布局中，同时支持表面贴装技术（SMT），有利于提高制造效率和降低成本。其双通道共阴极配置结构使得在电路设计中可以灵活应用，例如用于双路信号整流、电源反向保护、电感飞轮二极管等场合。
BAS70-06/DG/B2广泛应用于多个领域。在通信设备中，常用于RF信号检波、调制解调电路中的整流和保护。在计算机和外围设备中，可用于电源管理、USB接口的反向电压保护和数据线整流。在工业控制系统中，该器件可作为逻辑电路中的箝位二极管或用于传感器信号调理电路中的保护功能。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BAS70-06/DG/B2常用于电池供电电路中的电压检测和低功耗整流应用。此外，它也可用于DC-DC转换器、LED驱动电路以及用于防止电感反向电动势损坏MOSFET等功率器件的飞轮二极管电路中。
BAS70-04, BAS70-05, RB751V-30, 1N5711, BAT54
