GR343DD72E334KW01L是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在确保高效率的同时,还具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-252,能够有效提升散热性能并适应各种复杂的工作环境。
这款功率MOSFET适用于需要高效能量转换及低损耗的场景,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:34A
导通电阻:3.8mΩ
总栅极电荷:85nC
开关时间:开通延迟时间20ns,关断传播时间15ns
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度设计,可降低开关损耗并在高频操作下保持高效性能。
3. 高雪崩击穿能力,增强器件在异常情况下的耐用性和可靠性。
4. 小型化封装(TO-252)结合出色的热性能,非常适合空间受限的应用场景。
5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 提供稳健的电气保护功能,包括过流保护和短路耐受能力。
1. 开关电源适配器及充电器中的同步整流电路。
2. 汽车电子系统内的负载开关和DC-DC转换模块。
3. 工业自动化领域的电机驱动与逆变器电路。
4. 高效能LED驱动电路及电池管理系统。
5. 各类便携式设备的功率管理单元设计。
IRF3710
STP36NF06
FDP5600