您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GR343DD72E334KW01L

GR343DD72E334KW01L 发布时间 时间:2025/7/4 19:24:53 查看 阅读:17

GR343DD72E334KW01L是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在确保高效率的同时,还具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-252,能够有效提升散热性能并适应各种复杂的工作环境。
  这款功率MOSFET适用于需要高效能量转换及低损耗的场景,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:3.8mΩ
  总栅极电荷:85nC
  开关时间:开通延迟时间20ns,关断传播时间15ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度设计,可降低开关损耗并在高频操作下保持高效性能。
  3. 高雪崩击穿能力,增强器件在异常情况下的耐用性和可靠性。
  4. 小型化封装(TO-252)结合出色的热性能,非常适合空间受限的应用场景。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 提供稳健的电气保护功能,包括过流保护和短路耐受能力。

应用

1. 开关电源适配器及充电器中的同步整流电路。
  2. 汽车电子系统内的负载开关和DC-DC转换模块。
  3. 工业自动化领域的电机驱动与逆变器电路。
  4. 高效能LED驱动电路及电池管理系统。
  5. 各类便携式设备的功率管理单元设计。

替代型号

IRF3710
  STP36NF06
  FDP5600

GR343DD72E334KW01L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GR343DD72E334KW01L资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

GR343DD72E334KW01L参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GR3
  • 电容0.33µF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7T
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 尺寸/尺寸0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.079"(2.00mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称490-5737-6