类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：50 A
　　正向电压降（VF）：典型值1.7 V（在50A, 25°C条件下）
　　非重复峰值正向电流（IFSM）：600 A（单半波，60Hz正弦波）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　反向漏电流（IR）：典型值250 μA（在1200V, 25°C）；高温下最大3.0 mA（在1200V, 175°C）
　　热阻结至壳（RθJC）：约1.2 °C/W
　　封装形式：TO-247-2L

QM50CY-H的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性，使其在高温、高压和高频应用中远超传统硅基二极管。首先，该器件具有零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极低的反向恢复电流，这意味着在开关过程中不会产生由载流子复合引起的能量损耗，从而显著减少电磁干扰（EMI）并提高系统的开关效率。这一特性对于采用图腾柱PFC、LLC谐振转换器或三相逆变器等高频拓扑结构尤为重要，有助于实现更高的功率密度和更低的散热需求。
　　其次，QM50CY-H拥有出色的热性能，其最高工作结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的+150°C限制。这使得器件在高温环境下仍能保持稳定运行，减少了对复杂冷却系统的需求，提高了系统在严苛工况下的可靠性。此外，其低正向压降（VF）在大电流条件下仍保持稳定，降低了导通损耗，尤其在满载或过载工况下表现出优异的能效表现。
　　再者，该器件具备卓越的抗浪涌能力，可承受高达600A的非重复峰值正向电流，增强了在电网波动、短路或启动冲击等异常情况下的鲁棒性。TO-247封装不仅提供了良好的机械强度和电气绝缘性能，还支持高效的热传导路径，便于与散热器集成，适用于高功率密度设计。最后，QM50CY-H符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于全球市场的绿色电子产品设计。其高可靠性和长寿命也使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。

QM50CY-H广泛应用于需要高效、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。在工业领域，它常用于变频器、伺服驱动器和工业电源模块中作为续流或整流二极管，帮助提升系统效率并减小体积。在可再生能源系统中，特别是在光伏（PV）太阳能逆变器中，QM50CY-H被用于直流链路的升压转换阶段，利用其无反向恢复特性来优化MPPT（最大功率点跟踪）效率并降低总谐波失真（THD）。
　　在电动汽车相关应用中，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）电路中，支持高效率能量转换并适应宽输入电压范围。同时，在数据中心和通信电源系统中，QM50CY-H被集成于高效率服务器电源和48V转12V DC-DC转换器中，以满足日益增长的能效标准如80 PLUS Titanium。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统，在双变换在线式UPS的整流和逆变环节中发挥关键作用，确保在市电中断时仍能提供稳定可靠的电力输出。在储能系统（ESS）和智能电网设备中，QM50CY-H同样展现出优异的动态响应能力和长期稳定性，支持双向能量流动和频繁启停操作。由于其宽温度工作范围和高耐压能力，该器件还可用于铁路牵引系统、医疗电源和高端测试设备等对安全性和可靠性要求极高的场合。

C4D50120D
　　CMF50120D
　　SDCM50H1265P